Forschern aus Frankreich und der ETH Zürich ist es erstmals gelungen, Hochgeschwindigkeits-Transi... ( HEMTs ) herzustellen, die aus Galliumnitrid ( GaN ) bestehen, welches auf einem Silizium ( 110 ) -Wafer gewachsen ist.
Damit sind diese Transistoren kompatibel mit gängigen Metalloxid-Halbleiter-Chips ( CMOS ), die auf Silizium mit derselben Kristallorientierung basieren.
CMOS-Chips werden nur auf Silizium mit der so genannten ( 100 ) - oder ( 110 ) -Ausrichtung seiner Kristalle fabriziert.
www.ethlife.ethz.chFor the first time, researchers from CNRS France and ETH Zurich have succeeded in producing high-performance high-electron-mobility transistors ( HEMTs ) made of gallium nitride ( GaN ) on a silicon ( 110 ) wafer.
This makes these transistors compatible with current complementary metal oxide semi-conductor ( CMOS ) chips based on silicon of the same crystal orientation.
CMOS chips are generally produced on silicon wafers with the so-called ( 100 ) or ( 110 ) crystal orientation.
www.ethlife.ethz.chEines der heißesten Themen in der Elektronikforschung sind Halbleiter, die durch ihre räumliche Struktur bestimmte Eigenschaften haben – wie etwa Graphen.
Forscher der TU-Wien haben jetzt in einem Metalloxid ein stabiles zweidimensionales Elektronengas mit steuerbaren Eigenschaften erzeugt.
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www.elektronikpraxis.vogel.deA new material could open the door to a new kind of electronics :
researchers at the Vienna University of Technology have created a stable two-dimensional electron gas in strontium titanate.
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